30 апреля 1958г
Тамбовская область, Тамбовский район, Тамбов
Советский и российский учёный в области микро- и наноэлектроники, физики полупроводниковых приборов и технологии СБИС, организатор науки и промышленности. Доктор технических наук, профессор. Академик РАН (2008, член-корреспондент с 1997). Лауреат Государственной премии РФ (2014), трёхкратный лауреат премии Правительства РФ. Иностранный член Национальной академии наук Беларуси (2021).
Геннадий Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове. В 1981 году с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники (МИЭТ) — ведущего вуза страны в области микроэлектроники, расположенного в Зеленограде, который часто называют советской "Кремниевой долиной". С этого времени его профессиональная судьба неразрывно связана с зеленоградским научно-промышленным кластером.
С 1981 года начал работать на базовом предприятии отрасли — в Научно-исследовательском институте молекулярной электроники (НИИМЭ) и на заводе "Микрон". Прошёл путь от инженера до высшего руководства, демонстрируя сочетание глубоких научных знаний и выдающихся организаторских способностей. В 1991 году, в сложнейший период экономических преобразований, возглавил объединённое предприятие ОАО "НИИМЭ и Микрон" в должности генерального директора и руководил им до 2016 года. Под его руководством предприятие не только выжило, но и сохранило компетенции, развивая современные технологии. В 1999–2003 годах также был генеральным директором концерна "Научный центр" (позднее ОАО "Ситроникс"), куда входили ключевые электронные предприятия страны.
С 2011 года исследовательский центр НИИМЭ был выделен в отдельное юридическое лицо — АО "НИИ молекулярной электроники", генеральным директором которого Красников является по настоящее время. Параллельно с производственной и научной работой активно занимается педагогической деятельностью: возглавляет базовые кафедры в Московском физико-техническом институте (МФТИ) и в Национальном исследовательском университете "МИЭТ", готовя специалистов высшей квалификации.
В 1997 году был избран членом-корреспондентом РАН, а в 2008 году — действительным членом (академиком) Российской академии наук по Отделению нанотехнологий и информационных технологий. С 2019 по 2022 год был академиком-секретарем этого отделения. В сентябре 2017 года он впервые баллотировался на пост президента РАН, заняв третье место. 20 сентября 2022 года на Общем собрании РАН Г. Я. Красников был избран Президентом Российской академии наук, набрав 871 голос и опередив другого кандидата, академика Д. М. Марковича (397 голосов). В этой должности он сменил академика А. М. Сергеева.
Геннадий Красников состоит в партии "Единая Россия" с 2003 года. Он входит в состав Совета при Президенте РФ по науке и образованию (с 2022) и Экспертного совета при Правительстве РФ (с 2022).
Один из ведущих отечественных специалистов в области физики и технологии полупроводниковых приборов, создания сверхбольших интегральных схем (СБИС). Его основные научные достижения связаны с разработкой научных и технологических основ формирования полупроводниковых структур с управляемыми электрофизическими параметрами. Он детально исследовал закономерности неравновесных процессов на границах раздела в системе кремний — диоксид кремния — металл на всех этапах технологического маршрута изготовления ИМС. Эти исследования имеют ключевое значение для повышения надёжности, стабильности и выхода годных изделий в микроэлектронном производстве.
Автор и соавтор более 400 научных работ, 4 монографий, более 40 авторских свидетельств и патентов. Под его руководством защищено множество кандидатских и докторских диссертаций.
Как президент РАН и руководитель крупнейшего отраслевого института, Красников играет центральную роль в формировании научно-технической политики России. Он курирует важнейшие направления:
Геннадий Яковлевич Красников удостоен множества государственных и профессиональных наград, включая: