Сообщить об ошибке
Сообщение отправлено!
Произошла ошибка :(
24 сентября 1946г
Российский физик, академик РАН, доктор наук. Специалист в области физики полупроводников, атомной структуры и свойств низкоразмерных наносистем (квантовые точки, нити). Автор более 200 научных работ.
Александр Асеев родился в Улан-Удэ. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета, одного из ведущих научно-образовательных центров страны, созданного в рамках формирования Академгородка. Его становление как учёного проходило в знаменитом Институте физики полупроводников (ИФП) СО АН СССР, где под руководством ведущих специалистов он погрузился в проблематику, связанную с дефектами и структурой полупроводниковых материалов.
В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую формированию дислокационной структуры в монокристаллических слоях кремния и германия. Пятнадцать лет спустя, в 1990 году, им была успешно защищена докторская диссертация на тему "Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов". Эти работы заложили основу его научного авторитета как глубокого исследователя фундаментальных процессов, определяющих свойства полупроводниковых материалов, столь критичных для микроэлектроники.
С 1998 года и в течение пятнадцати лет Александр Асеев возглавлял Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, являясь научным руководителем и организатором исследований. Под его началом институт оставался флагманом отечественной науки в области физики полупроводников, нанотехнологий и молекулярно-лучевой эпитаксии. С 2000 года — член-корреспондент, а с 2006 года — действительный член Российской академии наук.
В 2008 году начался важнейший период его деятельности на посту председателя Сибирского отделения РАН и вице-президента РАН. В эти годы он выступал как стратег и защитник интересов сибирской и всей российской академической науки. Его руководство пришлось на сложное время, связанное с дискуссиями о реформе РАН. Александр Леонидович стал одним из самых последовательных и влиятельных критиков предлагаемых правительством преобразований, считая их губительными для фундаментальной науки. В сентябре 2017 года, накануне выборов президента РАН, он публично охарактеризовал реформы как "непродуманные и катастрофические", возложив ответственность на Федеральное агентство научных организаций (ФАНО). Эта принципиальная гражданская позиция снискала ему уважение в научном сообществе.
С 2002 года он являлся профессором кафедры физики полупроводников Томского государственного университета, входил в учёный совет НГУ, подготовил ряд кандидатов и докторов наук. Он автор и соавтор более 200 научных работ, включая 5 монографий и 9 патентов. Основная сфера научных интересов — атомная структура и электронные свойства низкоразмерных полупроводниковых систем (квантовых точек, нитей), а также технологии для нано- и оптоэлектроники.
После завершения в 2017 году срока полномочий на посту председателя СО РАН Александр Асеев продолжает активную научную и экспертную работу/